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发布时间:2024/5/7 14:31:12
发布:13335093736
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,C2——采用一般的空气介质、容量范围为16~360微微法的单连可变电容器。在这里不用双连,因为要求调谐电路同步不易调整。Д1,Д2,T1——晶体二极管采用国产Д1B型的。选用正向电阻500欧左右、反向电阻100千欧以上的较好。测试时将万用表量程放在(R×100)或(R×1K)档测量。晶体三极管T1采用国产П6型或2G100型的。C1,C3,C5——CC3采用纸质电容器,耐压400伏。C5采用耐压3伏、10微法超小型电解电容器。
主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中(*1),常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问,内部结构太复杂,很难实现高密度集成,不适合用作大容量内存。除SRAM外,DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成,比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难,一般在单芯片单片机中很少使用,基本上都是用作外围电路。(*1)单芯片单片机是指:将CPU,ROM,RAM,振荡电路,定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。