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国产场效应管的型号命名方法有两种：种型号命名方法由五部分组成，部分用数字表示电极数目，3表示有3个电极；第二部分用字母表示沟道材料：D是P型硅N沟道，C是N型硅P沟道；第三部分用字母表示管子种类：字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管；第四部分用数字表示序号。第五部分用字母表示电流档数。，3DO1D表示结型N沟道场效应三极管，3D06C表示绝缘栅型N沟道场效应三极管。第二种命名方法用字母“CS”+“XX#”的形式。


根据光耦的导通特性，该电路的零点指示滞后实际交流电发生的零点。滞后时间可以根据光耦的导通电流计算，NEC2501的典型值是10ma，实际上，当前向电流达到1ma的时候光耦一般就已经导通了。现以1ma电流计算，电阻3×47k=141k,则电压为141V，相应的滞后零点时间约为1.5ms。设0.5ma导通则电压为70V，则滞后时间为722us。光耦导通时间较长，即光耦电流由0变为导通电流这个渐变过程较长，导致光耦特性边缘时间差异明显，产品一致性差。